SJT 11054-1996 电子元器件详细规范 3DG140型高频放大环境额定双极型晶体管(可供认证用)

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华人民共和臼家标准,电子元器件详细规范,3DG140 型,高频放大环境额定双极型晶体管,Detail specification for electronic component,GB 10275—88,降为 SJ/T 11054-96,Bipolar transistor for ambient^rated,high*fregueney amplification of type 3DG140,(可供认证用),本标准规定了 3DG140型高频放大环境额定双极型晶体管的详细要求,本标准适用于3DG140型高频放大环境额定双极型晶体管,本标准是按GB 6217《高低频放大环境额定双极型晶体管空白详细规范》制订的,符合GB 4936.1,《半导体分立器件总规范》][类的要求.,中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所,中华人展共範国电子工亚部1988Tl4-22批准1989To8F1 实施,1,GB 10273—88,家标准局,GB 10273—88,1 机權说明2 简端说够,高频放大用环境额定双极型晶体管,寸》中代号A4—01 半导体材料:N型硅,外形图及引出端识别: 封装:金属(空腔),应用:电子线路中作高频低噪声放大以及高频电路中的,混频,本振.,3 風丒评定类别,类,参考数据:,1¢. 20nl A,ん〉600MHz,F,AV4dB,BV3dB m,C<2dB,标志;见本规范第6章,按本详细规范鉴定合格的器件,其制造厂的有关资料,见合格产品ー览表.,3DG140型详细规范,订货资料:见本规范第7章,评定器件质量的根据:,GB 4936.1《半导体分立器件总规范》,外形标准:GB 7581《半导体分立器件外形尺,P t?t— lOOmW ( T?mb5=?255C),.GA17dB,4M f更,2,GB 10273-88,序当結,4极限值(険对最大额定值),除非另有规定.!;mb=25y,条文号! 名称符号单位,?值,最小值最大值;,丁… **^55 175,4.5,4,2,5电特性,环境温度,贮存温度,最大集电极一基极直流电压,最大集电极ー发射极直流电压,最大发射极―基极直流电压,最大集电极(直流)电流,耗散功率的绝对极限值,最高有效(等效)结温,检验要求见本规范第8章,条文号,特性和条件,除非另有规定,丁い产25P,175,5」共发射极正向电流传输比静态值,Vce=6V, Ic^lmA,缶,绿,蒸,5.3/,532,VCBO,VcEO,Vkbo,P toi,T,皿Q,fc>O,04,04,5,04,1,2,4,3,nA A2b,nA A2b,nA C2l,nA A2b,V A2b,pF,dB,IB,dB,C2a,A4,3,4,GB 10273—88,条文号,特性和条件,除非另有规定T“b=25(C,5.11 功率增益,Vce=6V,Ic=lmA,f ?100MHz,发射极一基极饱和压降,IcHlOmA,lB?lmA,集电极ー发射极饱和压降,Ic==10mA,lB = lmA,5.15 结到环境的热阻,续表,符号,Gp,VBE(sat),VcB

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